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电源技术中的ST宣布无源器件集成技术取得新突破 允许电容密度提高50倍
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上传时间: 2020-11-28
详细说明：意法半导体(ST)日前首次公布了一项关于在薄膜无源器件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术的细节，这项新技术大幅度扩展了ST的IPAD(集成无源及有源器件技术)的功能，允许集成电容密度高于30nF/mm2的电容器，比现有的采用硅或钽的氧化物或氮化物的竞争技术提高电容密度50倍。 这项技术是以一类被称作“PZT Perovskites”的物质为基础，该类物质是一种化合物，主要元素是铅、锆、钛及氧，根据锆和钛的比例，物质可发生多种变化。这种物质的优点十分突出，它的介电常数高达900，具体参数视特定的物质而定，这个数值是二氧化硅的200倍。同样重要的是，这种物质在经过验证的IPAD量产制
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