文件名称:
电源技术中的功率MOSFET并联均流问题研究
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上传时间: 2020-12-10
详细说明：摘要：对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。 关键词：功率MOSFETS；多管并联；高频；Q轨迹引言随着电力电子技术的迅速发展，功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等优点在高频感应加热电源中得到了广泛的应用。但是，功率MOSFET容量的有限也成了亟待解决的问题。从理论上讲，功率MOSFET的扩容可以通过串联和并联两种方法来实现，实际使用中考虑
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