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文件名称: 电源技术中的IPM死区时间调整硬件解决方案
  所属分类: 其它
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  文件大小: 80kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-12-10
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:作者Email: gouyujiesina.com 摘要:针对不同厂家IPM要求的死区时间参数的不同,本文从硬件电路角度出发,提出一种延时电路方案,解决了因参数调整而引起软件的不统一问题,进而为MCU的大批量mask降低成本提供可能。 关键词: IPM 死区时间 随着现代电力电子技术的飞速发展,以绝缘栅双晶体管(IGBT)为代表的功率器件在越来越多的场合得到广泛地应用。IGBT是VDMOS与双极晶体管的组合器件,集MOSFET与GTR的优点于一身,既具有输入阻抗高,开关速度快,热稳定性好和驱动电路简单的长处,又具有通态电压低,耐压高和承受大电流的优点,特别适合于电
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