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上传时间: 2020-12-10
详细说明：对于抛光的硅片的表面，一般存在10~60Å的本征氧化层，并且在亲水活化处理的过程中，表面也会由于强氧化剂的作用生成一层本征氧化层，所以抛光硅片与氧化硅片的键合过程基本相似。硅-硅直接键合的机理目前已进行了较多的研究[4~8]，整个键合机理可用三个或四个阶段的键合过程进行描述，这里用四个键合阶段对键合机理进行描述： 第一阶段，从室温到200℃，两硅片表面吸附OH团，在相互接触区产生H键，随着温度的升高，OH团因得到热能而增大迁移率，表面H键形成的几率也随着增大，因而键合的硅片的相互作用力增大，硅片表面产生弹性变形，键合面积增加，键合强度也增加。 第二阶段，200℃~500℃，形成H键的两个硅片的
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