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应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术
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文件大小: 106kb
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上传时间: 2020-12-10
详细说明：谢常青，陈大鹏，李兵，叶甜春(中国科学院微电子中心，北京，100010)摘要：PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波／毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候，沿着栅宽方向的寄生电阻会影响PHEMT器件的性能。为了解决这个问题，一种具有大截面面积而底部长度却很小的T形栅结构通常被用于制作PHEMT器件，因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米T形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、X射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术，通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术，它的制作成本低，但是很难用于制作深亚微米T形栅；
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