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文件名称: 氮化物衬底材料的研究与开发
  所属分类: 其它
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  上传时间: 2020-12-10
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:主办:上海市科委发展计划处    上海市科学学研究所      本 期 内 容 导 读    宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器,以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景;对环保,其还是很适合于环保的材料体系。半导体照明产业发展分类所示的若干主要阶段,其每个阶段均能形成富有特色的产业链。世界各国现在又投入了大量的人力、财力和物力,以期望取得GaN基高功率器件的突破,并且居于此领域的制高点。“氮化物衬底材料与半导体照明的应用前景”文稿介绍了氮化物衬底材料与半导体照明的应用前景的部分内容。    GaN、AlN、InN及其合金等材,是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料
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