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文件名称: IGBT模块驱动及保护技术
  所属分类: 其它
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  文件大小: 102kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-12-09
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:IGBT模块驱动及保护技术 蒋怀刚,李乔,何志伟 (华南理工大学雅达电源实验室,广东广州510641) 1引言IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件,在它的栅极?发射极间施加十几V的直流电压,只有μA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。但IGBT的栅极?发射极间存在着较大的寄生电容(几千至上万pF),在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流,才能满足开
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