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上传时间: 2020-12-09
详细说明：集成电路的主动成分由diffusion，离子植入和外延层在硅衬底上的生长组成。当这个步骤结束，用一层或多层连线，最终的部分被连接起来形成集成电路。连线包括金属层和由绝缘物质，通常是沉积氧化物，隔离开的多晶硅。同样这些物质也可以被用来制作被动元件，比如电阻和电容。 图2.24说明了一个典型的单层金属互联系统的形成。最后的植入和扩散后，在整个wafer上生长或沉积一层氧化物，某些区域被蚀刻来做出曝光硅的氧化物窗口。这些窗口将成为金属和底下硅的contact，一旦这些contact被打开，一薄层金属薄膜会被沉积并被蚀刻，形成互联图案。 740)this.width=740" border=un
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