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上传时间: 2020-12-09
详细说明：硅-硅直接键合杂质分布模型 在键合过程中，为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起，先对硅片进行表面处理，使表面生成一薄层本征二氧化硅以吸附OH集团，界面上的羟基（－OH）发生聚合反应生成二氧化硅，Si－OH+OH－Si→Si－O－Si+H2O。因此键合硅片界面有氧化层存在。实验证明，氧化层厚度在200－600℃范围内随温度升高而降低，600-1200℃范围内，厚度恒定[2] 。因此，硅-硅直接键合的物理模型如图3.5所示，两硅片中间存在厚度一定的本征二氧化硅层。设两键合硅片初始时为均匀掺杂，杂质浓度分别为C0、C1,中间本征氧化层的厚度为d，从左向右的三个区域Si、SiO2、Si用Ⅰ、
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