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上传时间: 2020-12-09
详细说明：传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2 1. SC-1清洗去除颗粒：⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。⑵ 去除颗粒的原理： 硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。② SiO2的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。③ Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而
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