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上传时间: 2020-12-09
详细说明：硅直接键合技术广泛应用于压力传感器和加速度计，是一种制备密封腔的重要的工艺手段。硅-硅直接键合技术制备压力传感器具有很大的优势：成本低，应力小，性能高，可以大规模生产。压力传感器分为两种，一种是基于压阻的变化，一种是基于电容的改变。压阻式压力传感器是在密封腔上面悬空的硅层上制备压敏电阻，随着压力的变化，硅膜的应力变化，相应的压阻发生变化，键合压阻式压力传感器如图1.19所示。主要的工艺工艺步骤为：（1）衬底硅片进行腐蚀，腐蚀出要求的密封腔；（2）把衬底和另外一个硅片键合，并经过1000~1200℃的高温退火，使键合界面达到一体化；（3）把键合好的硅片进行减薄和抛光达到要求的厚度（5~25µm或
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