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上传时间: 2020-12-09
详细说明：CMOS倒相器可采用的两种直流噪声容限，根据两种直流噪声容限定义和CMOS倒相器电路性能分析，CMOS倒相器可采用最大噪容作为其直流噪声容限；给出了最大噪容的要求，即要求最大高电平噪容与最大低电平噪容相等，因此，要求P管归一化阈电压与N管归一化阈电压相等，且P管与N管的K因子之比为1。对归一化阈电压不等情况，可调整K因子之比使最大高电平噪容与最大低电平噪容相等；对K因子之比不为1的情况，可调整归一化阈电压，以得到最大噪声容限。
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