文件名称:
元器件应用中的集成齐纳二极管和次表面齐纳管
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文件大小: 43kb
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：肖特基势垒 Schottky—barrier 金属和半导体接触，也和PN结一样在接触处的半导体表面层内，自然地形成了由半导体中的杂质离子组成的空间电荷层或耗尽层。其中存在的电子或空穴的势垒，叫做肖特基势垒。 以金属与N型硅接触为例。N型硅的功函数一般比金属的功函数小。金属与N型硅接触时，电子由硅流入金属，在硅表面层内出现由带正电的杂质离子组成的空间电荷层。其中存在由硅指向金属的电场及电子势垒。在平衡时，势垒高度大到足以阻止电子进一步流向金属，也就是说，越过势垒流入金属的电子流与由金属流入半导体的电子流相等。这个势垒就是肖特基势垒。
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