文件名称:
电源技术中的集成电路中的MOS晶体管模型
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文件大小: 46kb
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：MOS模型 MOS的一级模型是SPICE的MOSFET模型中最简单的一种。该模型适于沟长大于5微米，栅氧化层厚度大于500埃的MOSFET。计算速度快但不精确。 MOSFET的二级模型是基于几何图形的分析模型。在MOSFET的二级模型中，考虑了小尺寸器件的一些二级效应的影响。该模型适于沟长大于2微米,沟道宽度在6微米左右，栅氧化层厚度大于250埃的MOSFET。考虑的主要的二级效应包括：（1） 短沟和窄沟效应对阈值电压的影响。（2） 表面电场对载流子迁移率的影响。（3） 载流子的漂移度饱和。（4） 亚阈值电流（弱反型电流）。 计算速度慢， 精度仍不够， 输出电阻
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