文件名称:
PCB技术中的NEC推出第二代65nm节点VLSI多层互连技术
开发工具:
文件大小: 42kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-09
详细说明：NEC公司和NEC电子公司近日推出多层Cu/Low-k互连技术，适于第二代65nm节点VLSI应用。通过改善互连结构和介质材料，减小有效介电常数，keff，在不影响可靠性的前提下使keff的目标值达到3.0。与常规结构比较，互连功耗缩减了15%，信号速度提高24%。 Cu/Low-k互连技术特性： （1）为第二代65nm节点低功耗VLSI应用开发出采用双重镶嵌（DD）结构的高性能、多层Cu/Low-k互连技术 （2）开发DD互连结构，引入具有次微毫米孔隙的多孔low-k电介质，通过连接寄生电容，可使互连功耗减少15%。借助薄势垒金属的耦合作用，使互连CR产品的性能
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
