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文件名称: 场区寄生MOSFET
  所属分类: 其它
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  文件大小: 49kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-12-09
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:当互连铝线跨过场氧区B、C两个扩散区时,如果互连铝线电位足够高,可能使场区表面反型,形成寄生沟道,使本不应连通的有源区导通,造成工作电流泄漏,使器件电路性能变差,乃至失效。 预防措施: (1)增厚场氧厚度t’OX,使VTF,但需要增长场氧时间,对前部工序有影响,并将造成台阶陡峭,不利于布线。采用等平面工艺可以改善这些影响。 (2)对场区进行同型注入,提高衬底浓 度,使V’TF。但注意注入剂量不宜过高,以防止某些寄生电容增大,和击穿电压的下降。2.7.2 寄生双极型晶体管 2.7.3 寄生PNPN效应 闩锁(Latch-up)效应 寄生PNPN效应又称
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