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文件名称: 电子测量中的Memory的可测试性设计Mbist
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 84kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-12-09
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:随着半导体工艺尺寸不断缩小,IC设计的规模越来越大,高度复杂的IC产品正面临着高可靠性、高质量、低成本以及更短的产品上市周期等日益严峻的挑战。一方面随着半导体工艺尺寸的缩小,嵌入式存储器可能存在的缺陷类型越来越多;另一方面,随着IC产品的复杂度的提高,ROM、RAM、EEPROM在IC产品中的比重越来越大。 嵌入式存储器的可测试设计技术包括直接测试、用嵌入式CPU进行测试和内建自测试技术(MBIST)。直接测试方法利用自动测试设备进行测试,可以轻易实现多种高质量测试算法,但是这种方法存在着一些不足之处,一是在ATE机上实现的算法越复杂,对ATE机存储器的容量要求越高,测试的费用也就越高;二是
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