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上传时间: 2020-12-09
详细说明：(ASML, China 技术行销经理)摘 要：由于新近的技术突破，先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm，甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标，新的介面液体，偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论。光刻技术可望继续被延伸到2010年。 关键词：浸没式光刻,高折射率液体,偏振光源辅助成像,TM,TE1 前言 正当前趋光刻研发寻找Next Generation Lithography之时，所发现的反而是有更多的发展空间可以继续推进已经被应用的成熟科技。2000年开始，超短波长应用触壁迫使科学家们考虑以往被遗忘的
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