文件名称:
ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化
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文件大小: 105kb
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化--摘自.semiait.
摘要：分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题，根据铜钽在氧化剂存在的情况下，抛光速率对pH值的不同变化趋势，提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值，以达到铜钽抛光一致性的方法，并进行了相应的实验研究。
1 前言 由于铝自身的性质，导致传统的铝布线工艺制作的器件经常会因铝的电迁移而失效，随着ULSI特征尺寸的进一步减小，布线层数增加、宽度也随之变细，这个问题也变得更加突出。而铜的多层布线恰恰能避免这一问题的出现，因此在深亚微米工艺中（0.18μm及以下），铜将逐步代替铝成为硅片上多层布线的材料。现在，已被普遍承认的是，
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