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MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：孙志国，许志，利定东（应用材料中国有限公司, 上海 201203）摘要：在大规模集成电路的制造过程中，MOCVD TiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料。本文介绍了MOCVD TiN 厚度对于W 填充能力的影响。 关键词： MOCVD TiN ; 厚度 ; W ; 填充能力 中图分类号：TN304.055 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2003)11-0029-03 1引言 在DRAM，LOGIC等的制造过程中，TiN经常被广泛用作W和Al plug 的扩散阻挡 层和连 接层材料（见图1）。一般而言，TiN薄膜的制造途径有PVD （
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