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上传时间: 2020-12-09
详细说明：(中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035)摘 要：本文对CVD WSix制造设备及工艺进行了详细的描述，以大量的实验数据为依据，开发出适合本科研生产线WSix复合栅薄膜的工艺标准。关键词：WSix；“Polycide”复合栅；电阻率；RTP退火中图分类号：TN405 文献标识码：A 文章编号：1681-1070(2005)03-37-041 CVD WSix工艺介绍在存储器电路生产中，特别是在DRAM、FLASH和SRAM器件工艺过程中，通过在多晶硅上淀积WSix，经退火工艺后形成“Polycide”，复合栅结构，降低多晶硅栅的电阻率从而提高器件的速度。工艺流程如图1所示：
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