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上传时间: 2020-12-09
详细说明：李毅何篙易新建(昆明物理研究所昆明650223)摘要利用X射线光电子谱(XPS)对HgCdTe表面氧化特性进行了研究，对不同工艺过程中的HgCdTe表面进行了测量、分析，结果表明啼福汞表面的自身氧化与工艺密切相关，说明HgCdTe表面钝化前的预处理直接影响钝化层/HgCdTe的界面特性.PACC:7280E, 8160，79601引言在HgCdTe红外探测器的制造工艺中，要求对这种窄带隙半导体材料的表面加以严格控制，使表面具有均匀的化学配比、无晶体缺陷、极少的表面氧化和其它表面沾污.HgCdTe光伏探测器阵列是红外焦平面的核心，目前，HgCdTe光伏探测器阵列大多采用n+ P结平面工艺技术，这
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