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电源技术中的Si/SiGe/Si HBT直流特性的可靠性
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：崔福现1，张万荣2（1.中国电子科技集团公司十三所，河北 石家庄 050051；2.北京工业大学，北京 100022）摘要：对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究。研究结果表明，随应力时间的增加，开启电压增加，直流电流增益下降，特别是在低E-B正偏电压时下降明显；而交流电流增益退化缓慢。 关键词：异质结双极晶体管；台面；可靠性中图分类号：TN32 文献标识码：A文章编号：1671-4776（2003）10-0017-031引言在过去的十几年里，SiGe基区HBT取得了快速进展，许多小组在从事SiGe基区HBT的研究工作，他们采用了不同的器件结构，如单台面HBT，
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