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热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的研究
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：刘少波1，李艳秋1，刘梅冬2（1.中国科学院电工研究所微纳加工部，北京 100080;2.华中科技大学电子科学与技术系，湖北 武汉 430074）摘要：采用改进的溶胶-凝胶（sol-gel）技术，在Pt/Ti/SiO2/Si3N4/SiO2/Si基片上研制出具有优良热释电性能的BST，PLT和PZT铁电薄膜，它们是制备单片式非致冷红外焦平面阵列的优选深测材料。解决了制备热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的关键技术，成功研制出8元、9元、10元线列和8×8元阵列，器件电压响应率（RV）达8.6×103V/W。 中图分类号：TN304.9;TN21文献标识码：A文章编号：1671-4776（20
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