文件名称:
嵌入式系统/ARM技术中的0.18μm铜金属双重镶嵌工艺中空间成像(一)
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文件大小: 110kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-09
详细说明：1．AMD Saxony制造股份有限公司，德累斯顿市D-01109，德国；2．AMD工艺研发集团,美国加利福尼亚州森尼韦尔市；3．KLA-Tencor，Migdal HaEmek 23100，以色列)概 述：由于空间成像套刻(Ovcrlay)技术的预算随集成电路(IC)设计规范的紧缩而吃紧，因此，Overlay测量技术准确度的重要意义也随之提高。通过对后开发(After Develop DI)阶段和后蚀刻(After Etch FI)阶段的Overlay测量结果进行比较，研究了0．18μm设计规范下的铜金属双重镶嵌工艺过程中的Owrlay准确度。在确保对同一个晶圆进行后开发(DI)阶段和后蚀刻
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