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上传时间: 2020-12-09
详细说明：用薄膜转移技术连接衬底和器件结构绝缘体上外延硅（SOI）是用埋层二氧化硅（buried oxide, BOX）分隔有源的顶层硅和下层的承载硅片的工程衬底的第一个例子。它能满足主流MOSFET的性能要求。已经有许多文献全面地论述了SOI增强部分耗尽器件和全耗尽器件的性能、减小器件的漏电流和功耗并适用于低压器件结构的能力。本文将综述集成电路产业需求驱动下衬底工程学方面的最新发展，并给出光电子、射频和高功率管理等其他领域的令人感兴趣的复合衬底的例子。Soitec公司的Smart Cut层转移技术使得有可能将增强晶体管性能的特性做在衬底中并将器件结构和复合衬底连接起来。能够增强迁移率的衬底切口旋转45
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