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光刻领域的技术专家共聚一堂，公布最新研究成果
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：正如半导体国际杂志上所说的那样，在今年的SPIE Microlithography会议上，光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点，而近来公布的一些关于前沿浸没式光刻技术和极紫外光刻技术（EUV)的新闻以及研究成果已经受到了广泛的关注和极大的重视。 其中的一条新闻是Nikon宣布一月份的时候它的第一台ArF浸没式扫描光刻设备NSR-S609B已经出货。这台设备的数值孔径达到1.07，采购方是一家主要的半导体生产商。这台设备将用于55纳米节点的内存产品的量产并用于研发下一代45纳米节点的关键技术。 Nikon独创的局部填充技术消除
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