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高介电栅介质材料铝酸镧 (LaAlO 3 )薄膜的金属有机化学气相沉积...
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：邵起越 李爱东 ** 程进波 吴迪 刘治国 闵乃本 （ 南京大学材料科学与工程系 南京大学固体微结构实验室 南京 210093） 摘 要： 硅基集成电路特征尺寸不断缩小所带来的栅介质问题已成为制约其集成度提高的瓶颈，利用高介电栅介质 (high- k )材料来代替传统热氧化法生长的SiO 2 成为当今微电子材料的研究热点。本文采用低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法制备了介电常数较高、热稳定性好的铝酸镧(LaAlO 3 )薄膜，对其结构、组分、电学性能，界面结构的研究表明：铝酸镧是下一代金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）用高介电栅介质有希望的候选材料之一 。 关键词： 高介电栅
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