文件名称:
嵌入式系统/ARM技术中的安森美 VCE(sat) 双极结晶体管
开发工具:
文件大小: 59kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-09
详细说明：安森美半导体（ON Semiconductor）推出全新系列的高性能VCE(sat) 双极结晶体管（BJT），该产品降低电路总成本，并为各种便携式应用如手机、PDA、媒体播放器、笔记本电脑和数码相机, 提供更高的电源效率和更长的电池寿命。 此类创新的低VCE(sat) BJT为微型的表面贴装器件，具有超低饱和电压（VCE(sat)）和高电流增益能力的特性，专为负担得起且能效控制要求高的低压高速开关应用而设计。理想的应用包括电源管理、电池充电、低压降稳压、振荡器电机、LED背光、电池管理、磁盘驱动器控制和照相机闪光灯。 为协助一直处于削减其设计各个方面成本的巨大压力之下的便携式和无线产品制造商
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