开发工具:
文件大小: 48kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-09
详细说明：安森美半导体（ON Semiconductor）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)），整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%。 新器件为小信号、20伏（V）MOSFET，特别适用于-430毫安（mA）至-950 mA的应用，如功率负载开关、电源转换器电路以及手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器和便携式GPS系统中的电池管理等。这些新型的低压MOSFET采用安森美半导体的沟道技术，增大了沟道长度和等效沟道密度。RDS(on)比目前同类封装的MOSFET降低60％，可
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
