文件名称:
电源技术中的瑞萨发布 P沟道功率MOSFET
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文件大小: 48kb
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H –30 V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)导通电阻，用于笔记本电脑和类似产品中的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。2004年6月8日，将在日本开始样品发货。 与瑞萨科技先前的产品相比，HAT1125H的导通电阻大约减小了25%，是业界导通电阻最低的工业标准SOP-8尺寸小型表面安装封装产品。由于其损耗很低，将有助于设计小型、节省空间的系统。 笔记本电脑最近的趋势包括功能更高、CPU速度更快（随着处理信息量的增加，需要处理大量数据）、电压更低以及电流更大。因此要求DC-DC转换器电源管
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