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上传时间: 2020-12-09
详细说明：美国夏威夷火努鲁鲁举行的超大规模集成电路（VLSI）2006年专题研讨会上，瑞萨科技公司宣布，开发出一种有助于采用65nm（65纳米）制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。尤其是，该技术解决了与门限电压（Vth）有关的诸如晶体管导通或关断时出现的边线电压的重要问题。 采用65nm工艺的全球面积最小（0.494μm2）的存储单元测试芯片包含一个8Mbit 6晶体管型SRAM，利用该芯片对稳定运行能力进行了验证。测试数据显示，利用这种设计
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