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电源技术中的端接DDR DRAM的电源电路
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文件大小: 37kb
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上传时间: 2020-12-08
详细说明：DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（VREF＝VDD/2）。此外，各逻辑输出端都接一只电阻器，等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时，必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压，并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5～28V下工作。 IC1的200kHz固定频率PWM控制器通过提供源流和吸收电流来保持输出电压。最大源电流等于最大吸收电流，但吸收电流没有限流
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