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上传时间: 2020-12-08
详细说明：意法半导体（ST）宣称其所开发的rSRAM技术将在不过多增加芯片制造成本的前提下，有效消除嵌入式SRAM“软错误”对于电子设备可能造成的不良影响。 所谓的“软错误”是指 由构成地球低强度背景辐射的核粒子引起的芯片内部电荷贮存状态的改变，这种改变虽然不会对芯片产生有形损坏，但将产生错误数据并造成设备的临时故障。半导体技术的发展，晶体管的尺寸不断变小，使得每个晶体管本身对背景辐射的影响更加敏感；同时芯片复杂性的大幅度提高也意味着芯片上某一部分遭受一个软错误的影响的机率大幅提高。这一趋势在嵌入式SRAM存储器中更为明显，而目前，在一个典型芯片上SRAM占晶体管总数的50%以上，并且这个比例在10年
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