文件名称:
用于电子点火的单片智能 IGBT解决方案
开发工具:
文件大小: 229kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-07
详细说明：市场对内置保护功能的更复杂器件的需求，促使半导体公司去开发智能技术：采用与分立器件相同的工艺，增加基本元器件。 意法半导体（ST）开发出一项智能绝缘栅双极晶体管技术：这项技术包括一个内置NMOS驱动器（以增强模式实现的横向N沟道场效应MOS管）、多晶硅二极管及电阻器的纵向绝缘栅双极晶体管。通过集成，实现了通用功能，像限流、高压钳位、热保护和静电放电保护。这种采用同一工艺制造的技术、电源级和控制元器件的背后的概念，适合许多电源应用。 尺寸和成本不断降低的市场趋势，正在引导半导体公司去开发片上集成器件特性和诊断功能的技术。 意法半导体开发出一项智能技术，利用绝缘栅双极晶体管技术，实现了一个受
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