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上传时间: 2020-12-07
详细说明：德州仪器公司(Texas Instruments)最近宣布，该公司的半导体研究组已经开发出具有成本效益的技术以大幅度减少芯片耗电量，并通过新途径提高整体性能。 据介绍，德州仪器的新型管理技术能够减少备用晶体管的电源泄漏达1000因数，而独特的应变硅(strained silicon)技术能够将晶体管性能提高35%。 该公司的研发人员正在研究嵌入式SRAM低耗散技术，据称能将晶体管的功耗降低到300X。TI公司计划把65纳米工艺用于密集型嵌入式SRAM产品中，一个单元的六只晶体管只占用少于0.5平方微米的尺寸，而150万门电路也只占用一平方毫米的空间。 TI公司也打算用trained-silic
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