文件名称:
嵌入式系统/ARM技术中的基于ARM9内核Processor外部NANDFLASH的控制实现
开发工具:
文件大小: 113kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-06
详细说明：NANDFLASH
NAND写回速度快、芯片面积小，特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512B(也有2kB每页的largepageNANDFLASH)，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASHMemory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8MB存储器，页大小常为512B、块大小为8kB，块内页面数为16。而2MB的存储器的页大小为256B、块大小为4kB，块内页面数也是16。NAND存储器由多个块串行排列组成。实
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