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元器件应用中的凌力尔特推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357
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文件大小: 59kb
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上传时间: 2020-12-08
详细说明：凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357，该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。LTC4357控制MOSFET两端的正向压降，确保以无振荡或无反向DC电流的方式从一个通路平滑地切换到另一个通路。
单片二极管“或”控制器LTC43
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