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上传时间: 2020-12-09
详细说明：作者简介 王占国，1938年生，半导体材料物理学家，中科学院院士。现任中科院半导体所研究员、半导体材料科学重点实验室学委会主任和多个国际会议顾问委员会委员。主要从事半导体材料和材料物理研究，在半导体深能级物理和光谱物理研究，半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方面，取得多项成果。先后获国家自然科学二等奖、国家科技进步三等奖，中科院自然科学一等奖和科技进步一、二和三等奖及何梁何利科技进步奖等多项，在国内外学术刊物和国际会议发表论文180多篇，被引用数百次。 摘 要 本文重点对半导体硅材料，GaAs和InP单晶材料，半导体超晶格、量子阱材料，一维量子线、零维量子点半导体微结构材料，宽带隙半导
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