开发工具:
文件大小: 87kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-09
详细说明：理解及较为准确预测晶圆电测良品率的能力是对一个赢利且可靠的芯片供应商的基本要求。多年来，许多把工艺制程、缺陷密度和芯片尺寸参数与晶圆电测良品率联系起来的模型被开发出来。图6.12给出了四种良品率模型的公式。每一个将不同的参数和晶圆电测良品率联系起来。随着芯片模尺寸的增大，工艺制程步骤的增加，以及特征工艺尺寸的减小，芯片对较小缺陷的敏感性增加了并且更多的背景缺陷变成了致命缺陷。 a.指数函数 b.Seeds c.Murphy d.负二项式 Y=合格芯片模数与总芯片模数的比例 A=芯片模面积 D=缺陷密度 n=光刻步骤数 r=晶圆半径 *=群数因子(通常=2) 图6.12 晶圆电测良品率模型 指数
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
