文件名称:
安森美将先进的制造工艺扩展到HighQ硅-铜IPD领域
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上传时间: 2020-12-08
详细说明：安森美半导体（ON Semiconductor）宣布，将其先进的制造工艺技术扩大到HighQ硅-铜集成无源器件(IPD)的制造服务领域。与昂贵、超高性能的基于砷化镓-金工艺无源器件相比，这创新的8英寸晶圆技术比原来较低精密程度的硅-铜工艺成本更低，性能更高。 HighQ IPD工艺技术是诸如不平衡变换器、耦合器和滤波器等无源器件制造的理想选择。对于便携和无线应用，高性能等于延长电池寿命。 工艺 位于美国的世界级安森美半导体200 mm制造厂采用的是IPD工艺。该厂具世界一流水平的原型和生产周期，高科技产品生产和故障分析设备和系统。 HighQ制造工艺制造出铜镀层厚实的电感器、MIM 电容器(
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