文件名称:
电源技术中的安森美扩展高能效低 Vce(sat) 双极结晶体管产品
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上传时间: 2020-12-08
详细说明：安森美半导体推出采用先进硅技术的 PNP 与 NPN 器件，丰富了其业界领先的低 Vce(sat) 双极结晶体管 (BJT) 产品系列。这两种新型晶体管与传统的 BJT 或平面 MOSFET相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。
安森美半导体最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1 A时，该器件可提供45 mV的超低饱和电压及30
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