文件名称:
3D TANOS圆柱无结电荷陷阱存储器中电荷损失机制的研究
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上传时间: 2021-03-26
详细说明：本文提出了详细的仿真分析3D TANOS圆柱中的电荷损失机制无结电荷捕获存储设备。 为了编程状态下，通过隧道的作用底部氧化物和顶部氧化物的垂直电荷损耗分别为比较起来，发现后者是主要的成分。 还发现横向电荷迁移显示出对电荷俘获层的形状的依赖性。 绕组电荷俘获层表现出良好的横向迁移性能。 仿真结果表明侧向电荷迁移更严重，而不是垂直电荷损耗，必须集中精力减少存储单元大小。 结果将为高水平提供指导密度3D内存设计优化。
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