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MONOS型非易失性存储器中作为电荷存储层的ZnO量子点的特性
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文件大小: 450kb
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上传时间: 2021-03-25
详细说明：长期以来，人们一直在研究以量子点（QD）作为电荷存储层（CSL）的MONOS型非易失性存储设备，以取代传统的多晶硅浮栅存储器，因为它具有以下优点：工作电压较小，编程/擦除速度更快，更小的尺寸，更好的耐用性以及更高的位存储密度。 作为关键部分，已经广泛研究了不同类型的半导体量子点，例如GeError！ 找不到参考源。，SiCError！ 找不到参考源。，SiGeError！ 找不到参考源。InP和ZnO。 在这项工作中，已研究了不同的溅射厚度和沉积后退火（PDA）温度对ZnO QDs形成尺寸的影响。 与某些化学方法相比[4,5]，这种ZnO量子点的制备方法将更简单并且与传统的集成电路技术兼容。
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