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GaN（0001）与Al0.25Ga0.75N（0001）表面之间Cs活化机理的密度泛函理论研究
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上传时间: 2021-03-20
详细说明：为了研究Al分数对AlxGa1-xN光电阴极的影响，建立并比较了GaN（0001）和Al0.25Ga0.75N（0001）表面的模型。利用基于第一原理密度泛函理论的超软伪势平面波计算和比较了Al0.25Ga0.75N（0001）表面和GaN（0001）表面的Cs活化机理。在这项工作中，为Al0.25Ga0.75N（0001）表面选择了七个可能的Cs吸附位点，而在GaN（0001）表面的计算模型中考虑了五个高对称位点。获得了吸附能，功函，表面偶极矩和光电流曲线。结果表明，Cs吸附降低了表面功函数，有利于获得最稳定的吸附位。为了验证我们的计算结果，对通过金属有机化学气相沉积法生长的p型掺杂Mg的GaN和AlGaN衬底进行了活化实验。光电流曲线表明，GaN光阴极的总光电流值大于Al0.25Ga0.75N光阴极的总光电流值。还研究了两个光电阴极的光谱响应曲线，并用来解释光电流的差异。这项工作为AlxGa1-xN和GaN光电阴极的进一步实验研究提供了参考。
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