文件名称:
基于太赫兹范围内的GaAs-金属超材料的共振转换
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文件大小: 301kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-20
详细说明：本文通过利用砷化镓（GaAs）中光注入的可变电导率，设计了一种不对称平面太赫兹（THz）超材料，该材料通过GaAs条带与两个单间隙裂环谐振器（SRR）连接，并且证明了在适当的光泵浦下SRR在THz范围内的共振转换。作为结构的中心纵臂，GaAs巧妙地插入了THz超材料的两个横臂之间，并在共振转换中起关键作用。通过调节其电导率（sigma（GaAs）），GaAs的可变电导率可以使一个双间隙SRR在物理结构中变成两个连接性单间隙SRR，同时，在THz中两个不同谐振的状态转换超材料已经实现。仿真结果表明，随着σ（GaAs）的增加，太赫兹超材料的共振状态可以从一个LC和一个偶极（状态1）切换到两个LC和一个新偶极（状态2）。这种结构设计提供了一个新的示例，可以应用可变电导率来实现谐振的状态转换，并且可以扩展到THz器件中的其他应用。
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