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上传时间: 2021-03-19
详细说明：Ti电极直接沉积在类金刚石碳（DLC）膜上的不同位置，以在其表面上形成水平和纵向电场。当DLC膜被激光辐照并且电场强度为0 V / cm时，ID / IG比随膜中sp3含量的增加而增加。偏置电场强度从0增加到1000 V / cm，相应的激光诱导损伤阈值（LIDT）增加。当电场强度为220 V / cm时，观察到具有两种不同电极结构的DLC膜的三维损伤形态。在电场强度为110 V / cm，激光能量密度为0和1.56 J / cm2的拉曼光谱中观察到两种类型的电极结构。结果表明，水平偏置场对纵向电场的影响比纵向电场对sp3–sp2杂交减少的影响更明显，阻止了sp2簇的形成，从而减缓了DLC的石墨化过程。向DLC膜施加偏压场可以减慢DLC膜的石墨化过程，并改善DLC膜的LIDT。
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