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上传时间: 2021-03-18
详细说明：通过结合温度相关的光致发光（PL）和第一性原理计算，研究了Sn掺杂的ZnO纳米带中Sn掺杂剂的电子给体状态和电子结构。在掺Sn的ZnO纳米带的低温PL光谱中观察到了强的和主要的供体结合激子（（DX）-X-0）发射。 （DX）-X-0发射具有类似于12 meV的热活化能，并确定了相应的电离能类似于60 meV，这是由Sn掺杂剂的浅施主性质得出的。此外，随着温度升高，（DX）-X-0峰解离为神经供体样缺陷对复合物，并发生了带间跃迁。结果，室温下的近带边缘发射峰归因于带到带和自由到带的过渡的混合。此外，第一性原理电子结构计算表明，在ZnO中用Sn取代Zn的Sn是一个较浅的供体，与PL结果非常吻合。通过结合温度相关的光致发光（PL）和第一性原理计算，研究了Sn掺杂的ZnO纳米带中Sn掺杂剂的电子给体状态和电子结构。在掺Sn的ZnO纳米带的低温PL光谱中观察到了强的和主要的供体结合激子（（DX）-X-0）发射。 （DX）-X-0发射具有类似于12 meV的热活化能，并确定了相应的电离能类似于60 meV，这是由Sn掺杂剂的浅施主性质得出的。此外，随着温度升高，（DX）-X-0峰解离为神经供体样缺
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