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上传时间: 2021-03-18
详细说明：单晶硅是用于半导体器件的重要材料，也是器件研究中的潜在材料。研究了通量为5.0 x 10（16），1.0 x 10（17），2.0 x 10（17）和4.0 x 10（17）cm（-2）的氦离子注入样品的远红外光学性能。在4到85 cm（-1）的波数范围和145到520 K的温度范围内测量了不同氦浓度的硅的吸收系数和折射率。结果表明，吸收系数随着氦通量的增加而增加。离子，但折射率降低。所有样品的吸收系数，折射率和温度之间的相关性相似。在整个测量温度范围内，折射率随温度的升高而增加，但在不同的波段，吸收系数具有不同的趋势。在12 cm（-1）以下的区域，吸收系数随温度的升高而降低；但是，当波数大于30 cm（-1）时，吸收系数会增加。 Drude模型很好地拟合了不同波段的吸收系数曲线。通过透射电子显微镜（TEM）在植入区域中观察到大量的氦气泡和缺陷，例如空隙和位错，这有助于增加光吸收。
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