文件名称:
具有埋入式改进超结层的低导通电阻高压横向双扩散金属氧化物半导体
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文件大小: 536kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-18
详细说明：提出了一种新型的低比导通电阻（R-on，R-sp）横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），其具有掩埋的改进超结（BISJ）层。超结层埋在漂移区中，P柱分为两个掺杂浓度不同的部分。首先，掩埋的超结层引起多方向辅助的耗尽效应。因此，BISJ LDMOS的漂移区掺杂浓度远高于常规LDMOS。其次，掩埋的超结层提供了大体积的低导通电阻路径。两者都大大降低了R-on，R-sp。第三，由阶梯掺杂的P柱引入的新的电场峰值的电场调制效果改善了击穿电压（BV）。 BISJ LDMOS的BV为300 V，R-on，R-sp为8.08 m Omega.cm（2），与传统产品相比，BV增大了35％，R-on，R-sp降低了60％漂移长度分别为15μm的LDMOS。
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